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Das nebenstehende Bild zeigt einen Ausschnitt des
Megabitspeichers U 61000 in den drei Bearbeitungsstufen (von unten nach
oben):
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nach der Strukturierung der Poly-Silizium-Speicherplatte
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nach der Strukturierung des Molybdänsilicids
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nach Fertigstellung und Zwischenprüfung
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Layout des Megabitspeichers U 61000 und des Testfeldstreifens
für Technologieentwicklung und -kontrolle. Im Bild sind deutlich die
vier Teilmatrizen der internen 256-K x 4-Organisation zu erkennen. Die
gut leitende Alu-Wortleitung und die höherohmige Molybdänsilicid-Bitleitung
führen zur langgestreckten Form der Teilmatrizen. |
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18poliges Duroplastgehäuse des U 61000 in Dual-in-line-Bauform
(DIL). |
